Tipos de semiconductores
Cuando se aplica voltaje a los dispositivos semiconductores, la corriente de electrones fluye hacia el lado positivo de la fuente y la corriente de los huecos fluye hacia el lado negativo de la fuente. Tal situación ocurre solo en un material semiconductor.
El silicio y el germanio son los materiales semiconductores más comunes. Generalmente, la conductividad de un semiconductor se encuentra entre las conductividades de los metales y los aislantes.
Germanio como semiconductor
A continuación se presentan algunos puntos importantes sobre Germanium -
Hay cuatro electrones en la órbita más externa del germanio. En los enlaces, los átomos se muestran solo con sus electrones externos.
Los átomos de germanio compartirán electrones de valencia en un enlace covalente. Esto se muestra en la siguiente figura. El germanio son los que están asociados con el enlace covalente. La forma cristalina del germanio se llama redes cristalinas. Este tipo de estructura tiene los átomos dispuestos de la forma que se muestra en la siguiente figura.
En tal disposición, los electrones se encuentran en un estado muy estable y, por lo tanto, son menos apropiados para asociarse con conductores. En su forma pura, el germanio es un material aislante y se denomina comointrinsic semiconductor.
La siguiente figura muestra las estructuras atómicas de silicio y germanio.
Silicio como semiconductor
Los dispositivos semiconductores también utilizan silicio en la fabricación de varios componentes electrónicos. La estructura atómica del silicio y el germanio se muestra en la figura anterior. La estructura de la red cristalina del silicio es similar a la del germanio.
A continuación se presentan algunos de los puntos importantes sobre el silicio:
Tiene cuatro electrones en su capa más externa como el germanio.
En forma pura, no sirve como dispositivo semiconductor.
Puede obtenerse la cantidad deseada de conductividad sumando impurezas.
La adición de impurezas debe hacerse con cuidado y en un ambiente controlado.
Dependiendo del tipo de impureza agregada, creará un exceso o un déficit de electrones.
La siguiente figura muestra el cristal intrínseco de silicio.
