Electrónica de potencia - MOSFET
El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) es un tipo de transistor que se utiliza para conmutar señales electrónicas. Tiene cuatro terminales a saber; fuente (S), drenaje (D), puerta (G) y cuerpo (B). El cuerpo del MOSFET normalmente está conectado al terminal de la fuente (S), lo que da como resultado un dispositivo de tres terminales similar a otros transistores de efecto de campo ( FET). Dado que estos dos terminales principales suelen estar interconectados mediante cortocircuito, solo tres terminales son visibles en los diagramas eléctricos.
Es el dispositivo más común en circuitos que son tanto digitales como analógicos. Comparado con el transistor normal, un MOSFET necesita baja corriente (menos de un miliamperio) para encenderse. Al mismo tiempo, entrega una carga de alta corriente de más de 50 amperios.
Operación de un MOSFET
MOSFET tiene una fina capa de dióxido de silicio, que actúa como la placa de un condensador. El aislamiento de la puerta de control eleva la resistencia del MOSFET a niveles extremadamente altos (casi infinitos).
La terminal de la puerta está excluida de la vía de corriente primaria; por lo tanto, no hay fugas de corriente en la puerta.
Los MOSFET existen en dos formas principales:
Depletion state- Esto requiere el voltaje de la fuente de la puerta (V GB ) para apagar el componente. Cuando la puerta está en cero (V GB ), el dispositivo generalmente está ENCENDIDO, por lo tanto, funciona como una resistencia de carga para circuitos lógicos dados. Para dispositivos de carga con agotamiento de tipo N, 3V es el voltaje de umbral donde el dispositivo se apaga al cambiar la puerta a 3V negativos.
Enhancement state- Se requiere el voltaje de la fuente de la puerta (V GB ) en este estado para encender el componente. Cuando la puerta está en cero (V GB ), el dispositivo generalmente está APAGADO y se puede encender asegurándose de que el voltaje de la puerta sea más alto que el voltaje de la fuente.
Símbolo y construcción básica
Dónde, D - Drenaje; G - Puerta; S- Fuente; ySub - sustrato