Electrónica básica: tipos de transistores

Se utilizan muchos tipos de transistores. Cada transistor está especializado en su aplicación. La clasificación principal es la siguiente.

El transistor principal es el BJT y FET es la versión moderna del transistor. Echemos un vistazo a los BJT.

Transistor de unión bipolar

Un transistor de unión bipolar, brevemente denominado como BJTSe llama así porque tiene dos uniones PN para su función. Este BJT no es más que un transistor normal. Tiene dos tipos de configuracionesNPN y PNP. Por lo general, se prefiere el transistor NPN por conveniencia. La siguiente imagen muestra cómo se ve un BJT práctico.

Los tipos de BJT son transistores NPN y PNP. El transistor NPN se fabrica colocando un material de tipo p entre dos materiales de tipo n. El transistor PNP se fabrica colocando un material de tipo n entre dos materiales de tipo p.

BJT es un dispositivo controlado por corriente. Un transistor normal que habíamos discutido en los capítulos anteriores pertenece a esta categoría. La funcionalidad, las configuraciones y las aplicaciones son todas iguales.

Transistor de efecto de campo

Un FET es un dispositivo semiconductor unipolar de tres terminales. Es unvoltage controlled devicea diferencia de un transistor de unión bipolar. La principal ventaja de FET es que tiene una impedancia de entrada muy alta, que es del orden de Mega Ohms. Tiene muchas ventajas como bajo consumo de energía, baja disipación de calor y los FET son dispositivos altamente eficientes. La siguiente imagen muestra cómo se ve un FET práctico.

El FET es un unipolar device, lo que significa que se fabrica utilizando material tipo p o tipo n como sustrato principal. Por lo tanto, la conducción de corriente de un FET se realiza mediante electrones o huecos.

Características de FET

Las siguientes son las características variadas de un transistor de efecto de campo.

  • Unipolar - Es unipolar ya que los huecos o los electrones se encargan de la conducción.

  • High input impedance- La corriente de entrada en un FET fluye debido a la polarización inversa. Por tanto, tiene una alta impedancia de entrada.

  • Voltage controlled device - Como el voltaje de salida de un FET está controlado por el voltaje de entrada de la puerta, el FET se denomina dispositivo controlado por voltaje.

  • Noise is low- No hay uniones presentes en la ruta de conducción. Por tanto, el ruido es menor que en los BJT.

  • Gain is characterized as transconductance. La transconductancia es la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada.

  • The output impedance of a FET is low.

Ventajas de FET

Para preferir un FET sobre BJT, debería haber pocas ventajas de usar FET, en lugar de BJT. Intentemos resumir las ventajas de FET sobre BJT.

JFET BJT
Es un dispositivo unipolar Es un dispositivo bipolar
Dispositivo impulsado por voltaje Dispositivo impulsado por corriente
Impedancia de entrada alta Impedancia de entrada baja
Bajo nivel de ruido Alto nivel de ruido
Mejor estabilidad térmica Menos estabilidad térmica
La ganancia se caracteriza por la transconductancia. La ganancia se caracteriza por la ganancia de voltaje

Aplicaciones de FET

  • FET se utiliza en circuitos para reducir el efecto de carga.

  • Los FET se utilizan en muchos circuitos, como amplificadores de búfer, osciladores de cambio de fase y voltímetros.

Terminales FET

Aunque FET es un dispositivo de tres terminales, no son lo mismo que los terminales BJT. Los tres terminales de FET son Gate, Source y Drain. losSource terminal en FET es análogo al Emisor en BJT, mientras que Gate es análogo a Base y Drain al coleccionista.

Los símbolos de un FET para los tipos NPN y PNP se muestran a continuación

Fuente

  • El terminal de origen en un transistor de efecto de campo es aquel a través del cual los portadores ingresan al canal.

  • Esto es análogo al terminal emisor en un transistor de unión bipolar.

  • El terminal de origen se puede designar como S.

  • La corriente que ingresa al canal en el terminal de origen se indica como IS.

portón

  • El terminal Gate en un transistor de efecto de campo juega un papel clave en la función de FET al controlar la corriente a través del canal.

  • Al aplicar un voltaje externo en el terminal Gate, se puede controlar la corriente que lo atraviesa.

  • Gate es una combinación de dos terminales conectados internamente que están fuertemente dopados.

  • Se dice que la conductividad del canal es modulada por el terminal Gate.

  • Esto es análogo al terminal base en un transistor de unión bipolar.

  • El terminal Gate puede designarse como G.

  • La corriente que ingresa al canal en el terminal Gate se indica como IG.

Desagüe

  • El terminal de drenaje en un transistor de efecto de campo es aquel a través del cual las portadoras abandonan el canal.

  • Esto es análogo al terminal de colector en un transistor de unión bipolar.

  • El voltaje de drenaje a fuente se designa como VDS.

  • El terminal de drenaje se puede designar como D.

  • La corriente que sale del canal en el terminal de drenaje está indicado como D .

Tipos de FET

Hay dos tipos principales de FETS. Son JFET y MOSFET. La siguiente figura ofrece una clasificación más detallada de los FET.

En los capítulos siguientes, tendremos una discusión detallada sobre JFET y MOSFET.